东莞市斯凡磁电科技有限公司
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本实用新型专利技术提供了一种半导体磁传感器,具有场效应晶体管结构,包括半导体基底,以及与半导体基底相连接的源极、漏极与栅极;其中,栅极由压电材料构成的第一栅极与磁致伸缩材料构成的第二栅极组成,并且第一栅极与半导体基底连接,第二栅极与第一栅极连接。该磁传感器结构简单,工作状态时,外界磁场作用于第二栅极时场效应晶体管的电信号发生改变,通过测试该电信号实现磁场的探测,并且由于结合了场效应晶体管的信号放大作用,能够实现高灵敏度的磁场探测。
一种半导体磁传感器
技术介绍
磁传感器是传感器中的一个重要组成部分,把磁学量信号或者其他物理量按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出。经过近一个世纪的发展,磁场传感器在人类社会生活的各个方面发挥着越来越来重要的作用,每年,全世界有数以十亿计的磁传感器投入使用。伴随着磁传感器的日臻完善,各行各业对其提出了越来越高的要求,尤其是要求其探测精度越来越高,同时要求其使用量程越来越宽,进一步拓宽应用领域,以满足实际应用的需求。因此,具有高的探测精度同时具有宽的使用量程是磁传感器新的发展方向之一,也越来越受到了研究学者的广泛关注。目前,较为常见的磁传感器主要有以下几类:霍尔(Hall)传感器、磁通门和电流感应磁传感器、磁电阻型传感器等。从目前的研究现状来看,室温下,磁传感器的探测精度与量程通常是顾此失彼。因此,制备即满足高的探测精度又能实现宽的探测量程的磁场传感器仍然是一大挑战,寻求新型的磁传感器是目前努力的方向之一。
技术实现思路
针对上述技术现状,本技术提供一种半导体磁传感器,具有场效应晶体管结构,包括半导体基底,以及与半导体基底相连接的源极、漏极与栅极;其中,栅极由与半导体基底连接的第一栅极以及与第一栅极相连接的第二栅极组成,并且第一栅极为压电材料,第二栅极为磁致伸缩材料。工作状态时,外界磁场作用于第二栅极,由于磁致伸缩才与压电材料存在着磁电耦合效应,磁致伸缩材料产生应力或应变传递到第一栅极,第一栅极的压电材料由于压电效应而产生电荷,从而改变了场效应晶体管沟道中载流子的浓度,引起场效应晶体管的电信号改变,通...
【技术保护点】
一种半导体磁传感器,其特征是:具有场效应晶体管结构,包括半导体基底,以及与半导体基底相连接的源极、漏极与栅极;其中,栅极由压电材料构成的第一栅极与磁致伸缩材料构成的第二栅极组成,并且第一栅极与半导体基底连接,第二栅极与第一栅极连接。
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关键词:电磁阀,微型气泵,微型水泵